ghjkl365

正面电极烧穿和细栅线烧穿的部位往往都会出现隐裂的症状，请问是什么原因导致正电极和正面细栅线烧穿！

　　stardom427

　　看看烧结机理吧。再结合残余应力公式q=K*E*R*(T2-T1)*(a2-a1)

　　K常数，E弹性模量，R泊松比，T温度，a膨胀系数

　　当残余应力大于硅片的抗张应力时，就隐裂了。

说明下欧姆接触只是接触，烧穿就不是接触了。

　　shuangmiao1977

　　正面电极烧穿和细栅线烧穿的部位往往都会出现隐裂的症状，我认为是烧结温度过高引起的，烧结温度过高，导致银完全熔融，在冷却过程中，由于银层处于处于熔融状态，内部产生的应力不能完全释放，从而出现隐裂的现象。

还有就是，欧姆接触，只是接触，并不是穿过，导致电性能很差......

　　lvfeng0514

　　我的理解是电池片穿了，银浆漏下去，不知道是不是这种异常。

如果是，是因为电池片已经隐裂了，浆料在烧结过程中渗入导致。

　　rosefather

你们所说到的烧结区某段温度过高所致，想必也是最近才开始有这样的片子的吧？如果是，那就得看看炉子抽风问题。个人理解，出现这样的问题是因为炉温与正常情况不一样所致，如果抽风量减少，炉内实际温度比正常高。建议你看看自己RS和FF怎么样，还是就是检查抽风管路有没有堵的地方。

　　wilson2008

我身边的朋友有两种看法，一种认为是已隐裂的片子烧结后发生电极烧穿，另一种认为是烧结过程中温度过高，银浆冷却时硅片内部产出的应力导致硅片隐裂。我个人觉得第二种看法更可信一些。

　　waspknight

硅材料隐裂。可以尝试测试下Rs。glass frit 在不合适的烧结profile下(比如过长时间停留在高温)。融化刻蚀硅，沉积在烧结界面。金属料和glass料分离导致glass料铺垫于下层,Rs就会增大，同时两者间容易产生应力。结深波动。如果测试仪带10-12V反偏测试，很有可能把结烧穿掉。检查下Sheet resistance、烧结温度、材料

　　topgun

正面银浆为了能够穿透氮化硅膜达到和下面n型层硅欧姆接触的目的，一般里面要配玻璃料，玻璃料能够烧穿氮化硅，但是如果温度过高或者时间过长，都会导致银浆穿透N型层直接和基体P型硅接触，这就使PN结漏电了。因此解决此问题可以从几个方面入手，降低烧结温度，减少高温时间，如果发现这两种方法导致铝背烧结效果不好或者其他问题，可以找银浆厂家更换不同型号的银浆，象杜邦和贺氏都有不同玻璃料配方的银奖，专门针对不同的烧结工艺，问他们要烧穿能力弱的银奖试验下就可以了。

来源：solarzoom